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深圳市紅邦半導體有限公司

供應BSM100GB60DLC

發(fā)貨地點:廣東省深圳市

發(fā)布時間:2025-03-31

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詳細信息

  • 封裝34mm
  • 品牌英飛凌
  • 型號BSM100GB60DLC
  • 批號G13+

BSM100GB60DLC 半橋(2單元),100A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,飽和壓降1.95V
BSM100GD120DLC 焊針式IGBT模塊三相橋及PIM,100A,1200V,IGBT4,鏍栓型
BSM100GD120DN2 焊針式IGBT模塊三相橋及PIM,100A,1200V,IGBT4,鏍栓型
BSM100GD60DLC 焊針式IGBT模塊三相橋及PIM,100A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,飽和壓降1.95V
BSM100GP60 整流橋+三相橋,(PIM)100A,600V
BSM10GD120DN2 焊針式IGBT模塊三相橋及PIM,10A,1200V
BSM10GD120DN2_E3224 焊針式IGBT模塊三相橋及PIM,10A,1200V
BSM10GP120 整流橋+三相橋,(PIM)10A,1200V,IGBT4
BSM10GP60 整流橋+三相橋,(PIM)10A,600V
BSM150GAL120DLC 斬波模塊(chopper),150A,1200V
BSM150GAL120DN2 斬波模塊(chopper),150A,1200V
BSM150GAR120DN2 斬波模塊(chopper),150A,1200V
BSM150GB120DLC 半橋(2單元),150A,1200V
BSM150GB120DN2 半橋(2單元),150A,1200V
BSM150GB170DLC 半橋(2單元),150A,1700V
BSM150GB170DN2 半橋(2單元),150A,1700V
BSM150GB60DLC 半橋(2單元),150A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,飽和壓降1.95V
BSM150GD60DLC 焊針式IGBT模塊三相橋及PIM,150A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,飽和壓降1.95V
 

 

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