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發(fā)布時間:2024-05-18

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    而增加數(shù)據(jù)線和提高頻率,則是提高性能的途徑,但由于命令、地址信息占用操作周期,以及一些固定操作時間(如信號穩(wěn)定時間等)等工藝、物理因素的影響,它們不會帶來同比的性能提升。1Page=(2K+64)Bytes;1Block=(2K+64)B×64Pages=(128K+4K)Bytes;1Device=(2K+64)B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits其中:A0~11對頁內(nèi)進行尋址,可以被理解為“列地址”。A12~29對頁進行尋址,可以被理解為“行地址”。為了方便,“列地址”和“行地址”分為兩組傳輸,而不是將它們直接組合起來一個大組。因此每組在一個周期會有若干數(shù)據(jù)線無信息傳輸。沒有利用的數(shù)據(jù)線保持低電平。NAND型閃存所謂的“行地址”和“列地址”不是我們在DRAM、SRAM中所熟悉的定義,惠州驅(qū)動IC芯片找哪家,只是一種相對方便的表達方式而已。為了便于理解,我們可以將上面三維的NAND型閃存芯片架構(gòu)圖在垂直方向做一個剖面,在這個剖面中套用二維的“行”、“列”概念就比較直觀了,惠州驅(qū)動IC芯片找哪家。閃存芯片容量識別編輯081G128M082G256M084G512M088G1G08AG2GAG081GBG084G閃存芯片供應動態(tài)編輯日前,惠州驅(qū)動IC芯片找哪家,SandForce的新東家芯片公司LSI表示。深圳市派大芯科技有限公司是一家專業(yè)從事電子元器件配套加工服務的企業(yè),專業(yè)提供IC激光刻字\IC精密打磨。深圳派大芯科技有限公司專注專業(yè)專心于ic磨字刻字服務;葜蒡(qū)動IC芯片找哪家

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    NAND的地址信息包括列地址(頁面中的起始操作地址)、塊地址和相應的頁面地址,傳送時分別分組,至少需要三次,占用三個周期。隨著容量的增大,地址信息會更多,需要占用更多的時鐘周期傳輸,因此NAND型閃存的一個重要特點就是容量越大,尋址時間越長。而且,由于傳送地址周期比其他存儲介質(zhì)長,因此NAND型閃存比其他存儲介質(zhì)更不適合大量的小容量讀寫請求。閃存芯片決定因素編輯閃存芯片頁數(shù)量前面已經(jīng)提到,越大容量閃存的頁越多、頁越大,尋址時間越長。但這個時間的延長不是線性關系,而是一個一個的臺階變化的。譬如128、256Mb的芯片需要3個周期傳送地址信號,512Mb、1Gb的需要4個周期,而2、4Gb的需要5個周期。閃存芯片頁容量每一頁的容量決定了一次可以傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量,因此大容量的頁有更好的性能。前面提到大容量閃存(4Gb)提高了頁的容量,從512字節(jié)提高到2KB。頁容量的提高不但易于提高容量,更可以提高傳輸性能。我們可以舉例子說明。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M為例,前者為1Gb,512字節(jié)頁容量,隨機讀(穩(wěn)定)時間12μs,寫時間為200μs;后者為4Gb,2KB頁容量,隨機讀(穩(wěn)定)時間25μs。DIP DIP封裝系列芯片IC打磨IC刻字IC蓋面IC打字 IC芯片編帶。北京穩(wěn)壓IC芯片報價

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