三*管單純從“放大”的角度來看，我們希望 β 值越大越好。可是，三*管接成共發(fā)射*放大電路時，從管子的集電* c 到發(fā)射* e 總會產(chǎn)生一有害的漏電流，江蘇貼片三*管用途，稱為穿透電流 I ceo ，它的大小與 β 值近似成正比， β 值越大， I ceo 就越大。 I ceo 這種寄生電流不受 I b 控制，卻成為集電*電流 I c 的一部分， I c ＝ βI b ＋ I ceo 。值得注意的是， I ceo 跟溫度有密切的關系，溫度升高， I ceo 急劇變大，破壞了放大電路工作的穩(wěn)定性。所以，選擇三*管時，并不是 β 越大越好，江蘇貼片三*管用途，江蘇貼片三*管用途，一般取硅管 β 為 40 ～ 150 ，鍺管取 40 ～ 80 。盟科電子三*管用在玩具上質(zhì)量很好。江蘇貼片三*管用途
三*管的注意事項：三*管選擇“開關三*管”，以提高開關轉換速度；電路設計，要保證三*管工作在“飽和/截止”狀態(tài)，不得工作在放大區(qū)；也不要使三*管處于深度過飽和，否則也影響截止轉換速度；至于截止，不一定需要“負電壓”偏置，輸入為零時就截止了，否則也影響導通轉換速度。三*管作為開關時需注意它的可靠性；在基*人為接入了一個負電源VEE，即可解決它的可靠性。三*管的開關速度一般不盡人意；需要調(diào)整信號的輸入頻率。超頻三*管廠家供應三*管按功率分：小功率管、中型率管、大功率管。
三*管是一種控制元件，主要用來控制電流的大小，以共發(fā)射*接法為例（信號從基*輸入，從集電*輸出，發(fā)射*接地），當基*電壓UB有一個微小的變化時，基*電流IB也會隨之有一小的變化，受基*電流IB的控制，集電*電流IC會有一個很大的變化，基*電流IB越大，集電*電流IC也越大，反之，基*電流越小，集電*電流也越小，即基*電流控制集電*電流的變化。但是集電*電流的變化比基*電流的變化大得多，這就是三*管的放大作用。IC 的變化量與IB變化量之比叫做三*管的放大倍數(shù)β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示變化量），三*管的放大倍數(shù)β一般在幾十到幾百倍。
三*管實際放大電路三*管在實際的放大電路中使用時，還需要加合適的偏置電路。這有幾個原因。首先是由于三*管BE結的非線性(相當于一個二*管)，基*電流必須在輸入電壓大到一定程度后才能產(chǎn)生(對于硅管，常取0.7V)。當基*與發(fā)射*之間的電壓小于0.7V時，基*電流就可以認為是0。但實際中要放大的信號往往遠比0.7V要小，如果不加偏置的話，這么小的信號就不足以引起基*電流的改變(因為小于0.7V時，基*電流都是0)。如果我們事先在三*管的基*上加上一個合適的電流(叫做偏置電流，圖2中那個電阻Rb就是用來提供這個電流的，所以它被叫做基*偏置電阻)，那么當一個小信號跟這個偏置電流疊加在一起時，小信號就會導致基*電流的變化，而基*電流的變化，就會被放大并在集電*上輸出。另一個原因就是輸出信號范圍的要求，如果沒有加偏置，那么只有對那些增加的信號放大，而對減小的信號無效(因為沒有偏置時集電*電流為0，不能再減小了)。而加上偏置，事先讓集電*有一定的電流，當輸入的基*電流變小時，集電*電流就可以減小;當輸入的基*電流增大時，集電*電流就增大。這樣減小的信號和增大的信號都可以被放大了。NPN型三*管，適合射*接GND集電*接負載到VCC的情況。
三*管飽和區(qū)的特點是，三級管的電流與IB和VCE有關，但是與VCE相關程度更大，因為可以看到當VCE固定時，不同的IB變化引起的IC變化不大；但是反過來，IB固定，VCE變化一點點就會引起IC劇烈變化，換句話說三*管已經(jīng)飽和了，已經(jīng)不受控于IB而受控于VCE了。飽和的意思就是滿了，我們可以用向水杯子倒水的模型來理解這個過程，IB就是倒水的水流，IC就是水面的高度，VCE就是指水面的高度。飽和就是指水滿了，飽和時狀態(tài)所示，此時水面高度IC已經(jīng)滿了（已經(jīng)飽和）不受控于IB了，而受控于水杯的高度VCE，如果想要進一步增加IC，就需要增加水杯高度VCE，這樣理解飽和這個概念就更形象易懂了。三*管工作時當它的集電*電流超過一定數(shù)值時，它的電流放大系數(shù)β將下降。江蘇貼片三*管用途
三*管發(fā)射結的電壓大于PN結的導通電壓，處于某一恰當?shù)闹禃r，三*管的發(fā)射結正向偏置，集電結反向偏置。江蘇貼片三*管用途
發(fā)射結加正偏時，從發(fā)射區(qū)將有大量的電子向基區(qū)擴散，形成的電流為IEN。與PN結中的情況相同。從基區(qū)向發(fā)射區(qū)也有空穴的擴散運動，但其數(shù)量小，形成的電流為IEP。這是因為發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠大于基區(qū)的摻雜濃度。 進入基區(qū)的電子流因基區(qū)的空穴濃度低，被復合的機會較少。又因基區(qū)很薄，在集電結反偏電壓的作用下，電子在基區(qū)停留的時間很短，很快就運動到了集電結的邊上，進入集電結的結電場區(qū)域，被集電*所收集，形成集電*電流ICN。在基區(qū)被復合的電子形成的電流是 IBN。 另外，因集電結反偏，使集電結區(qū)的少子形成漂移電流ICBO。江蘇貼片三*管用途
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