場(chǎng)效應(yīng)管是在三*管的基礎(chǔ)上而開發(fā)出來的。三*管通過電流的大小控制輸出，輸入要消耗功率。場(chǎng)效應(yīng)管是通過輸入電壓控制輸出，不消耗功率。場(chǎng)效應(yīng)管和三*管的區(qū)別是電壓和電流控制，但這都是相對(duì)的。電壓控制的也需要電流，惠州鋰電保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)管推薦廠家，電流控制的也需要電壓，只是相對(duì)要小而已，惠州鋰電保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)管推薦廠家。就其性能而言，場(chǎng)效應(yīng)管要明顯優(yōu)于普通三*管，不管是頻率還是散熱要求，只要電路設(shè)計(jì)合理，采用場(chǎng)效應(yīng)管會(huì)明顯提升整體性能。三*管是雙*型管子，即管子工作時(shí)內(nèi)部由空穴和自由電子兩種載流子參與。場(chǎng)效應(yīng)管是單*型管子，即管子工作時(shí)要么只有空穴，要么只有自由電子參與導(dǎo)電，只有一種載流子；三*管屬于電流控制器件，有輸入電流才會(huì)有輸出電流；場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制器件，惠州鋰電保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)管推薦廠家，沒有輸入電流也會(huì)有輸出電流。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于柵*電壓的高低�；葜蒌囯姳Ｗo(hù)場(chǎng)效應(yīng)管推薦廠家

場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理，我們先了解一下只含有一個(gè)P一N結(jié)的二*管的工作過程。如圖6所示，我們知道在二*管加上正向電壓（P端接正*，N端接負(fù)*）時(shí)，二*管導(dǎo)通，其PN結(jié)有電流通過。這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí)，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動(dòng)，從而形成導(dǎo)通電流。同理，當(dāng)二*管加上反向電壓（P端接負(fù)*，N端接正*）時(shí)，這時(shí)在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓，正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端，負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端，電子不移動(dòng)，其PN結(jié)沒有電流通過，二*管截止。東莞插件場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET盟科MK3400參數(shù)是可以替代AO3400的。

場(chǎng)管效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）因有兩個(gè)PN結(jié)而得名，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（JGFET）則因柵*與其它電*完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中，應(yīng)用非常為多方面的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管，以及非常近剛問世的πMOS場(chǎng)效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。按溝道半導(dǎo)體材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場(chǎng)效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。

電子產(chǎn)品失效故障中，虛焊焊點(diǎn)失效占很大比重，據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)字表明，在電子整機(jī)產(chǎn)品故障中，有將近一半是由于焊接不良引起的，幾乎超過電子元器件失效的概率，它使電子產(chǎn)品可靠性降低，輕則噪聲增加技術(shù)指標(biāo)劣化，重則電路板無法完成設(shè)計(jì)功能，更為嚴(yán)重的是導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)在未有任何前兆的情況下突然崩潰，造成重大的經(jīng)濟(jì)損失和信譽(yù)損失。在電子產(chǎn)品生產(chǎn)的測(cè)試環(huán)節(jié)以及售后維修環(huán)節(jié)，虛焊造成的故障讓技術(shù)人員在時(shí)間、精力上造成*大的浪費(fèi)，有時(shí)為找一個(gè)虛焊點(diǎn)，用上一整天的時(shí)間的情況并不鮮見。在電子產(chǎn)品生產(chǎn)過程及維修過程中，即使從各方面努力，也無法杜絕虛焊現(xiàn)象，因此，虛焊一直是困擾電子行業(yè)的焦點(diǎn)問題。筆者長期從事電子產(chǎn)品裝聯(lián)、電子電路測(cè)試、電子產(chǎn)品優(yōu)化和電子產(chǎn)品系統(tǒng)維修，淺談《電子產(chǎn)品生產(chǎn)中虛焊分析及預(yù)防》，旨在減少虛焊的危害，提高電子產(chǎn)品質(zhì)量，也是拋磚引玉，以引起大家對(duì)虛焊的注。虛焊：在電子產(chǎn)品裝聯(lián)過程中所產(chǎn)生的不良焊點(diǎn)之一，焊點(diǎn)的焊接界面上未形成良好的金屬間化合物（IMC）,它使元器件與基板間形成不可靠連接。（這里定義的虛焊指PCBA上的焊點(diǎn)虛焊。）產(chǎn)生原因：基板可焊面和電子元件可焊面被氧化或污染。場(chǎng)效應(yīng)管的源*s、柵*g、漏*d分別對(duì)應(yīng)于三*管的發(fā)射*e、基*b、集電*c，它們的作用相似。

MOS場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體三*管雙*性三*管是電流控制器件，其輸入電阻不夠高，在許多場(chǎng)合下不能滿足人們的要求，經(jīng)過不斷的探索和實(shí)踐，人們研制出一種仍具有PN結(jié)，但工作機(jī)理全然不同的新型半導(dǎo)體器件--場(chǎng)效應(yīng)管(FET)。場(chǎng)效應(yīng)三*管用電場(chǎng)效應(yīng)來控制電流，故此命名，它的特點(diǎn)是輸入阻抗高、噪音低、熱穩(wěn)定性好且抗幅射能力強(qiáng)，在工藝上便于集成，因此得到廣的應(yīng)用根據(jù)結(jié)構(gòu)和原理的不同，場(chǎng)效應(yīng)三*管可分為以下兩大類。①結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三*管(JFET)②絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)三*管(MOS管)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例，以一塊N型(多子為電子)半導(dǎo)體作基片，在它的兩側(cè)各光刻出一塊區(qū)域，進(jìn)行高濃度P+擴(kuò)散(三價(jià)的硼)，在兩側(cè)形成兩個(gè)PN結(jié)。兩個(gè)P+區(qū)的引出線連在一起，作為一個(gè)電*，稱之為柵*G。在N型半導(dǎo)體的兩端引出兩個(gè)電*，分別叫源*S和漏*D。3個(gè)電*G、S、D的作用，可以近似地認(rèn)為分別相當(dāng)于半導(dǎo)體三*管的基*B、射*E和集電*C。兩個(gè)PN結(jié)之間的區(qū)域，稱為導(dǎo)電溝道，當(dāng)在漏*和源*間加上電壓，這個(gè)區(qū)域就是載流子流過的渠道，也就是電流的通道。由于這里的導(dǎo)電通道是N型半導(dǎo)體，所以這種管子叫N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，它的為符號(hào)如圖所示。箭頭的方向。MK2301是一款20V的P型場(chǎng)效應(yīng)管。深圳SOT-23-3L場(chǎng)效應(yīng)管出廠價(jià)

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由于耗盡型N溝道MOS管在SiO2絕緣層中摻有大量的Na+或K+正離子（制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻入負(fù)離子），當(dāng)VGS=0時(shí)，這些正離子產(chǎn)生的電場(chǎng)能在P型襯底中感應(yīng)出足夠的電子，形成N型導(dǎo)電溝道；當(dāng)VGS>0時(shí)，將產(chǎn)生較大的ID（漏*電流）；如果使VGS<0，則它將削弱正離子所形成的電場(chǎng)，使N溝道變窄，從而使ID減小。這些特性使得耗盡型MOS管在實(shí)際應(yīng)用中，當(dāng)設(shè)備開機(jī)時(shí)可能會(huì)誤觸發(fā)MOS管，導(dǎo)致整機(jī)失效；不易被控制，使得其應(yīng)用*少。因此，日常我們看到的NMOS、PMOS多為增強(qiáng)型MOS管；其中，PMOS可以很方便地用作驅(qū)動(dòng)。不過PMOS由于存在導(dǎo)通電阻大、價(jià)格貴、替換種類少等問題，在驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS替代，這也是市面上無論是應(yīng)用還是產(chǎn)品種類，增強(qiáng)型NMOS管**非常為常見的重要原因，尤其在開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS管�；葜蒌囯姳Ｗo(hù)場(chǎng)效應(yīng)管推薦廠家

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