2N7002和2N7002K是一款帶ESD防靜電保護的場效應(yīng)管，封裝形式為SOT-23，深圳市盟科電子科技有限公司從2010年成立至今一直專注場效應(yīng)管的研發(fā)、生產(chǎn)和應(yīng)用。主要生產(chǎn)場效應(yīng)管，三*管，二*管，可控硅，LDO等。質(zhì)量可靠，且提供全程的售前售后服務(wù)。這款2N7002產(chǎn)品是N溝道增強型帶靜電保護MOS，ESD可達2000V，其電壓BVDSS是大于60V，電流ID可達300mA，阻抗Rdon在VGS@10V檔位下典型值為1歐姆，開啟電壓VGS(th)典型值在2-4V，深圳中低功率場效應(yīng)管出廠價。本款產(chǎn)品包裝為3000PCS，標(biāo)準(zhǔn)絲印為7002和02K，深圳中低功率場效應(yīng)管出廠價，也可以支持ODM定制，交期大多在15天就可以產(chǎn)出，深圳中低功率場效應(yīng)管出廠價。主要用于電腦主板，鍵盤鼠標(biāo)等。中低壓mos哪家品質(zhì)好？深圳中低功率場效應(yīng)管出廠價

盟科電子中低壓MOS管很有優(yōu)勢，選型上電壓從20V-100V，電流從2A-50A等。用于消費類市場，如MK2301MK2302MK3400MK3401這些為耐壓20V30V的MOS管，成本低，用作開關(guān)，調(diào)檔。小風(fēng)扇，電動玩具，按摩器，安防市場等。外觀選型上，小體積的有SOT-23、SOT-23-3L、SOT-23-6L，大體積的有TO-252。本司晶圓大多選用進口芯片，十幾年的封裝經(jīng)驗使得我們的產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，依靠我們的MES制造執(zhí)行系統(tǒng)，讓我們的制程更加可控。公司產(chǎn)品可以完美匹配AO萬代，SI威世，LRC樂山無線電，長晶科技等，歡迎客戶索要樣品測試，我們將竭誠為您服務(wù)。中山SOT-23場效應(yīng)管哪家好MK3407的參數(shù)是多少？

場效應(yīng)晶體管（縮寫FET）簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單*型晶體管。屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（10^8~10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點。場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS（柵源電壓）來控制ID（漏*電流）；場效應(yīng)管的輸入端電流*小，因此它的輸入電阻很大。它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三*管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲相對會比較低。一般可應(yīng)用于遙控玩具。

MOS場效應(yīng)管的測試方法(1)．準(zhǔn)備工作測量之前，先把人體對地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開，然后拆掉導(dǎo)線。(2)．判定電*將萬用表撥于R×100檔，首先確定柵*。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵*G。交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D*，紅表筆接的是S*。(3)．檢查放大能力(跨導(dǎo))將G*懸空，黑表筆接D*，紅表筆接S*，然后用手指觸摸G*，表針應(yīng)有較大的偏轉(zhuǎn)。雙柵MOS場效應(yīng)管有兩個柵*G1、G2。為區(qū)分之，可用手分別觸摸G1、G2*，其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)幅度較大的為G2*。目前有的MOSFET管在G-S*間增加了保護二*管，平時就不需要把各管腳短路了。MOS場效應(yīng)晶體管在使用時應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高(包括MOS集成電路)*易被靜電擊穿，使用時應(yīng)注意以下規(guī)則：(1).MOS器件出廠時通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個引腳連接在一起，或用錫紙包裝。2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑動，應(yīng)用金屬盤來盛放待用器件。(3).焊接用的電烙鐵必須良好接地。MK3400是一款SOT-23封裝，30V 5.8A的N型MOS。

場效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電，用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結(jié)型場效應(yīng)三*管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和絕緣柵型場效應(yīng)三*管FET之分。FET也稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體三*管MOSFET。MOS場效應(yīng)管有增強型（EnhancementMOS或EMOS）和耗盡型(MOS或DMOS）兩大類，每一類有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電類型。場效應(yīng)管有三個電*：D(Drain)稱為漏*，相當(dāng)雙*型三*管的集電*；G(Gate)稱為柵*，相當(dāng)于雙*型三*管的基*；S(Source)稱為源*，相當(dāng)于雙*型三*管的發(fā)射*。增強型MOS(EMOS)場效應(yīng)管MOSFET根本上是一種左右對稱的拓?fù)錁?gòu)造，它是在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2薄膜絕緣層，然后用光刻工藝擴散兩個高摻雜的N型區(qū)，從N型區(qū)引出電*，一個是漏*D，一個是源*S。在源*和漏*之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵*G。P型半導(dǎo)體稱為襯底(substrat)，用符號B表示。工作原理1．溝道構(gòu)成原理當(dāng)Vgs=0V時，漏源之間相當(dāng)兩個背靠背的二*管，在D、S之間加上電壓，不會在D、S間構(gòu)成電流。當(dāng)柵*加有電壓時，若0＜Vgs＜Vgs(th)時（VGS(th)稱為開啟電壓），經(jīng)過柵*和襯底間的電容作用，將靠近柵*下方的P型半導(dǎo)體中的空穴向下方排擠。場效應(yīng)管是電壓控制電流器件，由vGS控制iD，其放大系數(shù)gm一般較小，因此場效應(yīng)管的放大能力較差。東莞雙N場效應(yīng)管多少錢

場效應(yīng)管和mos管的區(qū)別是什么？深圳中低功率場效應(yīng)管出廠價

電子產(chǎn)品失效故障中，虛焊焊點失效占很大比重，據(jù)統(tǒng)計數(shù)字表明，在電子整機產(chǎn)品故障中，有將近一半是由于焊接不良引起的，幾乎超過電子元器件失效的概率，它使電子產(chǎn)品可靠性降低，輕則噪聲增加技術(shù)指標(biāo)劣化，重則電路板無法完成設(shè)計功能，更為嚴(yán)重的是導(dǎo)致整個系統(tǒng)在未有任何前兆的情況下突然崩潰，造成重大的經(jīng)濟損失和信譽損失。在電子產(chǎn)品生產(chǎn)的測試環(huán)節(jié)以及售后維修環(huán)節(jié)，虛焊造成的故障讓技術(shù)人員在時間、精力上造成*大的浪費，有時為找一個虛焊點，用上一整天的時間的情況并不鮮見。在電子產(chǎn)品生產(chǎn)過程及維修過程中，即使從各方面努力，也無法杜絕虛焊現(xiàn)象，因此，虛焊一直是困擾電子行業(yè)的焦點問題。筆者長期從事電子產(chǎn)品裝聯(lián)、電子電路測試、電子產(chǎn)品優(yōu)化和電子產(chǎn)品系統(tǒng)維修，淺談《電子產(chǎn)品生產(chǎn)中虛焊分析及預(yù)防》，旨在減少虛焊的危害，提高電子產(chǎn)品質(zhì)量，也是拋磚引玉，以引起大家對虛焊的注。虛焊：在電子產(chǎn)品裝聯(lián)過程中所產(chǎn)生的不良焊點之一，焊點的焊接界面上未形成良好的金屬間化合物（IMC）,它使元器件與基板間形成不可靠連接。（這里定義的虛焊指PCBA上的焊點虛焊。）產(chǎn)生原因：基板可焊面和電子元件可焊面被氧化或污染。深圳中低功率場效應(yīng)管出廠價

深圳市盟科電子科技有限公司致力于電子元器件，是一家生產(chǎn)型公司。公司業(yè)務(wù)涵蓋MOSFETs,場效應(yīng)管，開關(guān)二*管，三*管 ，三端穩(wěn)壓管 LDO，集成電路IC 整流器等，價格合理，品質(zhì)有保證。公司秉持誠信為本的經(jīng)營理念，在電子元器件深耕多年，以技術(shù)為先導(dǎo)，以自主產(chǎn)品為重點，發(fā)揮人才優(yōu)勢，打造電子元器件良好品牌。在社會各界的鼎力支持下，持續(xù)創(chuàng)新，不斷鑄造高質(zhì)量服務(wù)體驗，為客戶成功提供堅實有力的支持。